Описание
Общая информация | |
Дата выхода на рынок | 2019 г. |
Основные | |
Объём | 1 ТБ |
Форм-фактор | M.2 |
Интерфейс | PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3) |
Тип микросхем Flash | 3D TLC NAND |
Контроллер | Silicon Motion SM2262ENG (в зависимости от партии поставки может быть SM2262G) |
Размеры устройств M.2 | 2280 |
Ресурс записи | 640 TBW |
Технические характеристики | |
Аппаратное шифрование | |
Скорость последовательного чтения | 3 350 МБ/с |
Скорость последовательной записи | 2 800 МБ/с |
Средняя скорость случайного чтения | 390 000 IOps |
Средняя скорость случайной записи | 380 000 IOps |
Энергопотребление (чтение/запись) | 0.33 Вт |
Энергопотребление (ожидание) | 0.14 Вт |
Время наработки на отказ (МТBF) | 2 000 000 ч |
Толщина | 3.5 мм |
Охлаждение | (теплорассеивающая пластина поставляется в комплекте для самостоятельной установки при необходимости) |
Подсветка | |
Комплектация | |
Вариант поставки | розничная |
Комплект поставки | накопитель, радиатор |
Адаптер 3.5″ |